STP16NF06L - характеристики, поставщики

STP16NF06L

Последняя цена 34 руб.

STP16NF06L

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2399560

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.682

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Количество элементов на ИС

1

Series

STripFETв„ў II ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

90 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

3

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Base Product Number

STP16 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

16A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

45W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 8A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±16V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

16 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Qg - заряд затвора

7.3 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

90 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

37 ns

Время спада

12.5 ns

Длина

10.4мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STripFET

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

20 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

TO-220-3

Тип

MOSFET

Упаковка

Tube

Other Related Documents

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Материал транзистора

SI

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Число контактов

3

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7,3 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

345 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 V, +16 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

16A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

45W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

90mО© @ 8A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.5V @ 250uA

Number of Elements per Chip

1

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

N

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Lead Shape

Through Hole

Maximum Continuous Drain Current (A)

16

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

90@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

60

Maximum Gate Source Voltage (V)

±16

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Maximum Power Dissipation (mW)

45000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Through Hole

Packaging

Tube

Part Status

Active

PCB changed

3

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

345@25V

HTS

8541.10.00.80

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

7.3@5V

Typical Fall Time (ns)

12.5

Typical Rise Time (ns)

37

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

20

Typical Turn-On Delay Time (ns)

10

Automotive

No

Military

No

Package Height

9.15(Max)

Package Length

10.4(Max)

Package Width

4.6(Max)

Tab

Tab

Process Technology

STripFET II

Техническая документация

Datasheet , pdf , 275 КБ
Datasheet STP16NF06L , pdf , 282 КБ
Datasheet STP16NF06L , pdf , 274 КБ