IRLD120PBF, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1.3 А

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2399382

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.7

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 A

Package Type

HVMDIP

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

6.29мм

Высота

3.37мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

5мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

270 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-10 В, +10 В

Base Product Number

IRLD120 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.3A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

4-DIP (0.300"", 7.62mm)

Power Dissipation (Max)

1.3W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 780mA, 5V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Длина

5мм

Типичное время задержки выключения

21 ns

Тип корпуса

HVMDIP

Размеры

5 x 6.29 x 3.37мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

9.8 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

12 nC @ 5 V

Типичная входная емкость при Vds

490 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 V, +10 V

Maximum Power Dissipation

1,3 Вт

Height

3.37мм

Maximum Drain Source Voltage

100 В

Channel Type

Техническая документация

Datasheet IRLD120PBF , pdf , 1677 КБ
Datasheet IRLD120PBF , pdf , 809 КБ

IRLD120PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация