MMUN2132LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы

корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Цифровые PNP-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2399350

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.03

Base Product Number

MMUN2132 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

246mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

246mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.94мм

Pd - рассеивание мощности

246 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94мм

Длина

2.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMUN2132L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3мм

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

4,7 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

4.7 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Типичный коэффициент резистора

Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

4.7 kOhms

Техническая документация

Datasheet MMUN2132LT1G , pdf , 144 КБ
Datasheet , pdf , 375 КБ
Datasheet , pdf , 371 КБ
Datasheet MMUN2132LT1G , pdf , 103 КБ

MMUN2132LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 9 руб.

Техническая документация