ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFP450LCPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFP450LCPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFP450LCPBF
Последняя цена
400 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: TO-247-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А, 190 Вт
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2398846
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
6.28
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
3
Base Product Number
IRFP450 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 8.4A, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
14 A
Pd - рассеивание мощности
190 W
Qg - заряд затвора
74 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Серия
IRFP
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
TO-247-3
Упаковка
Tube
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
14
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
400@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
500
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
190000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-247
Supplier Package
TO-247AC
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
2200@25V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
74(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
74(Max)
Typical Fall Time (ns)
30
Typical Rise Time (ns)
49
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
30
Typical Turn-On Delay Time (ns)
14
Automotive
No
Military
No
Package Height
20.7(Max)
Package Length
15.87(Max)
Package Width
5.31(Max)
Tab
Tab
Техническая документация
Datasheet IRFP450LCPBF , pdf
, 1584 КБ
Datasheet IRFP450LCPBF , pdf
, 1597 КБ