ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF8714TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF8714TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF8714TRPBF
Последняя цена
78 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: 8-SO, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 14 А, 2,5 Вт
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.7 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2398845
Технические параметры
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.2
Ширина
3.9 mm
Высота
1.75 mm
Id - непрерывный ток утечки
14 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Qg - заряд затвора
8.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
13 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
4.9 mm
Другие названия товара №
SP001577632
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
4000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка / блок
SO-8
Техническая документация
Datasheet IRF8714 , pdf
, 251 КБ