SPW55N80C3FKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2230 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-247, инфо: Полевой транзистор N-канальный 800В 55A 85мОм TO247-3 CoolMOS

MOSFET, N CH, 850V, 54.9A, TO-247-3
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 54.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 85 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2397693

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

8.9

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-247

Ширина

5.21 mm

Высота

21.1 mm

Transistor Material

Length

16.13mm

Brand

Infineon

Series

CoolMOS C3

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

288 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Mounting Type

Through Hole

Id - непрерывный ток утечки

54.9 A

Pd - рассеивание мощности

500 W

Qg - заряд затвора

288 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

77 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

21 ns

Время спада

9 ns

Длина

16.13 mm

Другие названия товара №

SPW55N80C3 SP000849356

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

240

Серия

CoolMOS C3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

200 ns

Типичное время задержки при включении

45 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Power Dissipation

500 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

21.1mm

Height

5.21mm

Maximum Drain Source Resistance

85 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

0.95V

Техническая документация

Datasheet SPW55N80C3FKSA1 , pdf , 1231 КБ
Datasheet SPW55N80C3FKSA1 , pdf , 1231 КБ

SPW55N80C3FKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2230 руб.

Техническая документация