IPAN60R125PFD7SXKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 550 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2397523

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220FP

Рассеиваемая Мощность

32Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

600В

Непрерывный Ток Стока

25А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.104Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Transistor Mounting

Through Hole

Линейка Продукции

CoolMOS PFD7 SJ Series

Series

CoolMOSв„ўPFD7 ->

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

IPAN60 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

25A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1503pF @ 400V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

32W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 7.8A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220 Full Pack

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 390ВµA

Id - непрерывный ток утечки

25 A

Pd - рассеивание мощности

32 W

Qg - заряд затвора

36 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

235 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

13 ns

Время спада

6 ns

Другие названия товара №

IPAN60R125PFD7S SP003235924

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Технология

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

69 ns

Типичное время задержки при включении

26 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3-FP

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IPAN60R125PFD7SXKSA1 , pdf , 1068 КБ
Datasheet IPAN60R125PFD7SXKSA1 , pdf , 1131 КБ

IPAN60R125PFD7SXKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 550 руб.

Техническая документация