NTGD4167CT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 48 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

корпус: 6-TSOP, инфо: Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, P-канальный, 30 В, 2.6/1.9А 0.9Вт

Корпус TSOP-6, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 90 мОм

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2396603

Технические параметры

Вес, г

0.025

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.6A,1.9A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

900mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N & P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 131 КБ

NTGD4167CT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 48 руб.

Техническая документация