FDC658AP, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 66 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 6-SOT, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30V, 4 А 1,6 Вт

МОП-транзисторы PowerTrench® с P-каналом, Fairchild Semiconductor
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные переключатели мощности, которые обеспечивают повышение эффективности системы и удельной мощности. Они сочетают в себе малый заряд затвора (Qg), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и мягкий диод обратного восстановления, что способствует быстрому переключению синхронного выпрямления в источниках питания переменного / постоянного тока.
В новейших полевых МОП-транзисторах PowerTrench® используется экранированный затвор. структура, обеспечивающая баланс заряда. Благодаря использованию этой передовой технологии FOM (показатель качества) этих устройств значительно ниже, чем у предыдущих поколений.
Характеристики мягких диодов полевых МОП-транзисторов PowerTrench® позволяют исключить демпфирующие цепи или заменить полевые МОП-транзисторы с более высоким номинальным напряжением. .

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2396244

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.04

Максимальный непрерывный ток стока

4 A

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.7мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Series

PowerTrenchВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P, WRU

Base Product Number

FDC658 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 15V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Power Dissipation (Max)

1.6W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SuperSOTв„ў-6

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

1.6 W

Qg - заряд затвора

8.1 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

44 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

12 ns

Время спада

12 ns

Длина

3мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8.4 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

PowerTrench

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

16 нс

Типичное время задержки при включении

7 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SSOT-6

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3 x 1.7 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

7 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

6 nC @ 5 V

Типичная входная емкость при Vds

470 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Техническая документация

Datasheet FDC658AP , pdf , 243 КБ
Datasheet FDC658AP , pdf , 297 КБ
Datasheet FDC658AP , pdf , 323 КБ

FDC658AP - характеристики, поставщики

Последняя цена 66 руб.

Техническая документация