ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFS3206PBF, D2PAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFS3206PBF, D2PAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFS3206PBF, D2PAK
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
транзисторы полевые импортные
MOSFET, N, 60V, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 60V Current, Id Cont 210A Resistance, Rds On 0.0024ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Base Number 3206 Current, Idm Pulse 840A No. of Pins 3 Power Dissipation 300mW Voltage, Vds Max 60V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFS3206PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2395774
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
210 A
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
300
Корпус
d2pak
Длина
10.67мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
55 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
19 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
6540 пФ при 50 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Крутизна характеристики S,А/В
210
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
3
Температура, С
-55…+175
Техническая документация
IRFS3206PBF Datasheet , pdf
, 443 КБ
