MJD5731T4G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: DPAK-3, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А

Биполярные транзисторы - BJT 1A 350V 15W PNP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2395003

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.25

Transistor Type

PNP

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Pd - Power Dissipation

1.56W

Pd - рассеивание мощности

15 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

2.38 mm

Длина

6.73 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

5 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

350 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

MJD5731

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

TO-252-3

Ширина

6.22 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

10 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 V

Техническая документация

Datasheet MJD5731T4G , pdf , 125 КБ
Datasheet MJD5731T4G , pdf , 129 КБ

MJD5731T4G - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация