IRLR3410TRLPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 44 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO252, АБ

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2394128

Технические параметры

Вес, г

0.477

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

DPAK (TO-252)

Высота

2.39мм

Length

6.73мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 5 V

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

17 А

Maximum Power Dissipation

79 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6.22мм

Maximum Drain Source Resistance

150 мОм

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

irlr3410pbf , pdf , 286 КБ

IRLR3410TRLPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 44 руб.

Техническая документация