IRF1010EZPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 34 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

• Передовые технологические процессы
• Динамический рейтинг dV / dt
• Повторяющиеся лавины допускаются до Tjmax

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2394119

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.83

Максимальный непрерывный ток стока

84 A

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

16.51мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8,5 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

84 A

Pd - рассеивание мощности

140 W

Qg - заряд затвора

58 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

8.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

Through Hole

Длина

10.67мм

Другие названия товара №

SP001571244

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

HEXFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

38 нс

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

19 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

58 нКл

Типичная входная емкость при Vds

2810 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

75A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

140W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 100uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 408 КБ
Datasheet IRF1010EZPBF , pdf , 410 КБ

IRF1010EZPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 34 руб.

Техническая документация