ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBTH10LT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBTH10LT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBTH10LT1G
Последняя цена
25 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2394009
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.03
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 V dc
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Высота
1.01
Длина
3.04мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.4мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В пост. тока
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
25 В
Максимальный пост. ток коллектора
4 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
3 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0.95 V dc
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
