ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FMMT624TA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FMMT624TA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FMMT624TA
Последняя цена
73 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-23, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 125 В, 1 А
NPN-транзисторы общего назначения, до 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2382228
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.05
Transistor Type
NPN
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
1A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
125V
Pd - Power Dissipation
625mW
Максимальное напряжение коллектор-база
125 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
1 x 2.9 x 1.3мм
Pd - рассеивание мощности
625 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.9мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
125 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
125 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
FMMT62
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.3
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
155 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
0.625 W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
165 mV
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
125 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
155 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1 В
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Техническая документация
Datasheet FMMT624TA , pdf
, 211 КБ
Datasheet FMMT624TA , pdf
, 211 КБ
