IRLS3034TRL7PP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO2637, АБ

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2381325

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.182

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Ширина

6.22 mm

Высота

9.65mm

Length

10.67мм

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

7 + Tab

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Id - непрерывный ток утечки

380 A

Pd - рассеивание мощности

380 W

Qg - заряд затвора

120 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

590 ns

Время спада

200 ns

Длина

6.5 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

800

Серия

HEXFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

94 ns

Типичное время задержки при включении

71 ns

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

TO-263-7

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

380 A

Maximum Power Dissipation

380 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

1.7 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

Datasheet IRLS3034TRL7PP , pdf , 326 КБ
Datasheet IRLS3034TRL7PP , pdf , 327 КБ

IRLS3034TRL7PP - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация