IRFH5053TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: PQFN8, АБ

МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2380181

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.381

Ширина

5 mm

Высота

1 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

46 A

Pd - рассеивание мощности

3.1 W

Qg - заряд затвора

24 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

18 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

14.6 ns

Время спада

9.9 ns

Длина

6 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

18 ns

Типичное время задержки при включении

8.6 ns

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

PQFN-8

Чувствительный к влажности

Yes

Техническая документация

Datasheet IRFH5053TRPBF , pdf , 254 КБ
Datasheet IRFH5053TRPBF , pdf , 254 КБ

IRFH5053TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация