ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLS3034TRLPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLS3034TRLPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLS3034TRLPBF
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 343 А, 375 Вт
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2379909
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
1.35
Максимальный непрерывный ток стока
343 A
Максимальное рассеяние мощности
375 W
Ширина
6.22 mm
Высота
9.65mm
Количество элементов на ИС
1
Brand
Infineon
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
108 nC @ 4.5 V
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Id - непрерывный ток утечки
343 A
Pd - рассеивание мощности
375 W
Qg - заряд затвора
162 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
827 ns
Время спада
355 ns
Длина
10.67mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
286 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
800
Серия
HEXFET
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка / блок
TO-252-3
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Channel Mode
Поднятие
Forward Diode Voltage
1.3V
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Техническая документация
Datasheet IRLS3034TRLPBF , pdf
, 373 КБ