ZTX1049ASTZ, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2379575

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.4536

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Pd - Power Dissipation

Pd - рассеивание мощности

1 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

4.01 mm

Длина

4.77 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

300

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

4 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

25 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

4 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

ZTX1049

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

TO-92-3

Ширина

2.41 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

1200

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

180 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

220 mV

Техническая документация

Datasheet ZTX1049A , pdf , 283 КБ
Datasheet , pdf , 280 КБ

ZTX1049ASTZ - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация