STP20NM50, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор N-канальный 500В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 20 А; Rси(вкл): 0.25 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 40 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 250 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2379146

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.68

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Ширина

4.6 mm

Высота

9.15 mm

Length

10.4 mm

Brand

STMicroelectronics

Series

MDmeshв„ў ->

Минимальная рабочая температура

65 C

Base Product Number

STP20 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

192W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

20 A

Pd - рассеивание мощности

192 W

Qg - заряд затвора

40 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

250 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

16 ns

Время спада

12 ns

Длина

10.4 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

10 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STP20NM50

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

24 ns

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

TO-220-3

Тип

MOSFET

Техническая документация

STP20NM50 , pdf , 316 КБ
Datasheet STP20NM50 , pdf , 300 КБ

STP20NM50 - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация