ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP42C, TO-220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
TIP42C, TO-220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP42C, TO-220AB
Последняя цена
73 руб.
Сравнить
Описание
транзисторы биполярные импортные
TRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Voltage, Vceo: 100V; Current, Ic Continuous a Max: 6A; Voltage, Vce Sat Max: -1.5V; Power Dissipation: 65W; Hfe, Min: 30; Case Style: TO-220; Termination Type: Through Hole; Current, Ic Max: 6A; Current, Ic hFE: 0.3A; Pins, No. of: 3; Power, Ptot: 65W; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vcbo: 100V; ft, Min: 3MHz
Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 65 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 6 А, Коэффициент усиления по току, min 15
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
TIP42C
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2378535
Технические параметры
Base Product Number
TIP42 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
6A
Current - Collector Cutoff (Max)
700ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
65W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Maximum DC Collector Current
6A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
65W
Pd - рассеивание мощности:
65 W
Вид монтажа:
Through Hole
Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):
15
Конфигурация:
Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:
75
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:
6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO):
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):
- 5 V
Непрерывный коллекторный ток:
6 A
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):
3 MHz
Производитель:
STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки:
1000
Технология:
Si
Тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:
STMicroelectronics
Упаковка / блок:
TO-220-3
Высота:
9.15 mm
Длина:
10.4 mm
Минимальная рабочая температура:
- 65 C
Ширина:
4.6 mm
Упаковка:
Tube
Серия:
TIP42C
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 268 КБ
Datasheet TIP42C , pdf
, 257 КБ