IPP50R190CEXKSA1 - характеристики, поставщики

IPP50R190CEXKSA1

Последняя цена 120 руб.

IPP50R190CEXKSA1

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2378079

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.78

Максимальный непрерывный ток стока

18,5 A

Максимальное рассеяние мощности

127 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57мм

Высота

15.95мм

Количество элементов на ИС

1

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

CoolMOSв„ў CE ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

550 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Прямое напряжение диода

0.85V

Base Product Number

IPP50R190 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

18.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47.2nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1137pF @ 100V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

127W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 6.2A, 13V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 510ВµA

Длина

10.36мм

Серия

CoolMOS CE

Типичное время задержки выключения

54 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.36 x 4.57 x 15.95мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

9,5 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Число контактов

3

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

47.2 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1137 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Страна происхождения

MY

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
pdf , pdf , 2329 КБ