ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NJT4031NT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NJT4031NT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NJT4031NT1G
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-223, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А
NPN-транзисторы общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2377636
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.23
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.3 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Maximum Collector Base Voltage
40 V dc
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
40 В
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.7мм
Maximum DC Collector Current
3 A
Height
1.65мм
Pin Count
4
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.65mm
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Minimum DC Current Gain
100@3A@1V|220@0.5A@1V|200@1A@1V
Pd - рассеивание мощности
2000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.57 mm
Длина
6.5 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
220
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
NJT4031N
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.5 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
215 MHz
Технология
Si
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
40
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1@0.1A@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.1@5mA@0.5A|0.15@10mA@1A|0.3@0.3A@3A
Maximum DC Collector Current (A)
3
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Maximum Transition Frequency (MHz)
215(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT-223
Supplier Package
SOT-223
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.57
Package Length
6.5
Package Width
3.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1 V dc
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 107 КБ
Datasheet , pdf
, 181 КБ
