BSP135H6327, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-223, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.12 А

МОП-транзистор N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2376954

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.85

Ширина

3.5 mm

Высота

1.6 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

120 mA

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Qg - заряд затвора

3.7 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

30 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5.6 ns

Время спада

182 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

SP001058812 BSP135H6327XTSA1

Канальный режим

Depletion

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BSP135

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

28 ns

Типичное время задержки при включении

5.4 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Техническая документация

Datasheet , pdf , 482 КБ
Datasheet , pdf , 421 КБ

BSP135H6327 - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация