ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF9540NSTRLPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF9540NSTRLPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF9540NSTRLPBF
Последняя цена
71 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 800, корпус: D2PAK, АБ
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2375249
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.013
Максимальный непрерывный ток стока
23 А
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
117 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Длина
10.67мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
40 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
73 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1450 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
23A(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
117 mО© @ 14A,10V
Transistor Polarity
P Trench
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Pd - Power Dissipation
3.1W
Техническая документация
IRF9540ns , pdf
, 187 КБ
Datasheet , pdf
, 329 КБ
