BSC093N15NS5ATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 450 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TDSON-8/ SuperSO8, инфо: Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8

МОП-транзистор TRENCH >=100V

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2375234

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.2

Ширина

5.15 mm

Высота

1.27 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

87 A

Pd - рассеивание мощности

139 W

Qg - заряд затвора

33 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

9.3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4.3 ns

Время спада

3.8 ns

Длина

5.9 mm

Другие названия товара №

BSC093N15NS5 SP001279590

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

34 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS 5

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

14.4 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-TDSON-8

Техническая документация

Datasheet BSC093N15NS5ATMA1 , pdf , 1053 КБ
Datasheet BSC093N15NS5ATMA1 , pdf , 866 КБ

BSC093N15NS5ATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 450 руб.

Техническая документация