CSD16409Q3 - характеристики, поставщики

CSD16409Q3

Последняя цена 39 руб.

CSD16409Q3

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TDFN8, АБ

МОП-транзистор N-Ch NexFET Power МОП-транзисторs

Информация

Производитель

Texas Instruments

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2374547

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.171

Ширина

3.3 mm

Высота

1 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

2.6 W

Qg - заряд затвора

4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

9.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

25 V

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V, + 16 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

10.6 ns

Время спада

3.4 ns

Длина

3.3 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

38 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

CSD16409Q3

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

6.3 ns

Типичное время задержки при включении

6.5 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

VSON-CLIP-8

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

15A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.6W

Rds On - Drain-Source Resistance

8.2mО© @ 17A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

25V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.3V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet CSD16409Q3 , pdf , 226 КБ
Datasheet , pdf , 197 КБ