ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
CSD17308Q3T - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Texas Instruments
CSD17308Q3T
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
CSD17308Q3T
Последняя цена
39 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1, корпус: TDFN8, АБ
МОП-транзистор 30V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор 8-VSON-CLIP -55 to 150
Информация
Производитель
Texas Instruments
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2374110
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.355
Ширина
3.3 mm
Высота
1 mm
Series
NexFETв„ў ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
CSD17308 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
14A (Ta), 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.1nC @ 4.5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.3mOhm @ 10A, 8V
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
+10V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
60 A
Pd - рассеивание мощности
28 W
Qg - заряд затвора
3.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
11.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
5.7 ns
Время спада
2.3 ns
Длина
3.3 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
NexFET
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
37 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
250
Серия
CSD17308Q3
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
9.9 ns
Типичное время задержки при включении
4.5 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка / блок
VSON-Clip-8
Manufacturer Product Page
http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
RoHS
В процессе перемещения
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 521 КБ