CSD18537NQ5AT, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 51 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 250, корпус: TDFN8, АБ

• Сверхнизкие Qg и Qgd
• Низкое термическое сопротивление
• Устойчивость к лавинам
• Без галогенов
• Пластиковый корпус
• От -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур перехода

Информация

Производитель

Texas Instruments

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2373903

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.812

Ширина

4.9 mm

Высота

1 mm

Series

NexFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

CSD18537 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

50A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 30V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-PowerTDFN

Power Dissipation (Max)

3.2W (Ta), 75W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 12A, 10V

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-VSONP (5x6)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

50 A

Pd - рассеивание мощности

75 W

Qg - заряд затвора

14 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

13 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.6 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4 ns

Время спада

3.2 ns

Длина

6 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Single Triple Source Quad Drain

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

250

Серия

CSD18537NQ5A

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

14.4 ns

Типичное время задержки при включении

5.8 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

VSONP-8

Тип

NexFET Power MOSFET

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Средства разработки

TPS40170EVM-597

Техническая документация

Datasheet , pdf , 725 КБ

CSD18537NQ5AT - характеристики, поставщики

Последняя цена 51 руб.

Техническая документация