CSD19531KCS, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 93 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

• Сверхнизкие Qg и Qgd
• Низкое термическое сопротивление
• Устойчивость к лавинам
• Без галогенов
• Пластиковый корпус
• От -55 до 175 ° C Диапазон рабочих температур перехода

Информация

Производитель

Texas Instruments

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2373886

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.914

Ширина

4.7 mm

Высота

16.51 mm

Series

NexFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

CSD19531 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3870pF @ 50V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

214W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 60A, 10V

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.3V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

200 A

Pd - рассеивание мощности

179 W

Qg - заряд затвора

38 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.7 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.7 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

7.2 ns

Время спада

4.1 ns

Длина

10.67 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

CSD19531KCS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

16 ns

Типичное время задержки при включении

8.4 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet CSD19531KCS , pdf , 403 КБ

CSD19531KCS - характеристики, поставщики

Последняя цена 93 руб.

Техническая документация