ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NSS20101JT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NSS20101JT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NSS20101JT1G
Последняя цена
4 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC89, АБ
Биполярные транзисторы - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2371414
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.01
Base Product Number
NSS20101 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
350MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-89, SOT-490
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SC-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20V
Number of Elements per Chip
1
Maximum DC Collector Current
1A
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
150@500mA@2V|100@1A@2V|200@10m@2V|200@100mA@2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Pd - Power Dissipation
300mW
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.7 mm
Длина
1.6 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
NSS20101J
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-89-3
Ширина
0.85 mm
Квалификация
AEC-Q101
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
350 MHz
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.75
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
20
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.1@50mA@0.5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.015@0.5mA@10mA|0.22@0.1A@1A|0.115@0.05A@0.5A|0.04@0.01A@0.1A
Maximum DC Collector Current (A)
2
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Maximum Transition Frequency (MHz)
350(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SC-89
Supplier Package
SC-89
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.7
Package Length
1.6
Package Width
0.85
PCB changed
3
Техническая документация
Datasheet NSS20101JT1G , pdf
, 162 КБ
Datasheet NSS20101JT1G , pdf
, 133 КБ
Datasheet NSS20101JT1G , pdf
, 109 КБ
Datasheet , pdf
, 106 КБ
