ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF3710ZPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF3710ZPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF3710ZPBF
Последняя цена
69 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ
MOSFET для управления двигателем и синхронного выпрямителя переменного тока в постоянный, Infineon
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2371408
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2.55
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
59 A
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
10.54мм
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
18 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
IRF3710 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 35A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
59 A
Pd - рассеивание мощности
160 W
Qg - заряд затвора
82 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
Through Hole
Длина
10.54мм
Другие названия товара №
SP001564400
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
HEXFET
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
41 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Тип корпуса
TO-220AB
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
82 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2900 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Width
4.69мм
Maximum Drain Source Resistance
18 мΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 В
Channel Mode
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Техническая документация
IRF3710 datasheet , pdf
, 126 КБ
IRF3710Z Datasheet , pdf
, 273 КБ
IRF3710ZPBF Datasheet , pdf
, 383 КБ
Datasheet IRF3710ZPBF , pdf
, 392 КБ
Datasheet IRF3710ZPBF , pdf
, 384 КБ
