C3M0120090D, Cree - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 720 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO247, АБ

Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния Wolfspeed
Wolfspeed Z-Fet ™, C2M ™, amp; Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния C3M ™. Линейка SiC MOSFET второго поколения от Cree, энергетического подразделения Wolfspeed, которые обеспечивают лучшую в отрасли плотность мощности и эффективность переключения. Эти устройства с низкой емкостью допускают более высокие частоты переключения и снижают требования к охлаждению, повышая общую эффективность работы системы.

Информация

Производитель

Cree

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2368767

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

7.833

Максимальный непрерывный ток стока

23 А

Максимальное рассеяние мощности

97 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

21.1мм

Высота

5.21мм

Количество элементов на ИС

Series

C3Mв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

155 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

900 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

4.8V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

23A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.3nC @ 15V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 600V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

97W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 15A, 15V

RoHS Status

RoHS Compliant

Supplier Device Package

TO-247-3

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+18V, -8V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Длина

16.13мм

Типичное время задержки выключения

25 ns

Тип корпуса

TO-247

Размеры

16.13 x 21.1 x 5.21мм

Материал транзистора

SiC

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

27 нс

Производитель

Wolfspeed

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

17,3 нКл при 15 В

Типичная входная емкость при Vds

350 пФ при 600 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 V, +18 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

23A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

97W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

900V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.5V @ 3mA

Прямая активная межэлектродная проводимость

7.7S

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet C3M0120090D , pdf , 944 КБ
Datasheet C3M0120090D , pdf , 962 КБ
Datasheet , pdf , 898 КБ

C3M0120090D - характеристики, поставщики

Последняя цена 720 руб.

Техническая документация