NX7002AK.215 - характеристики, поставщики

NX7002AK.215

Последняя цена 2 руб.

NX7002AK.215

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2368033

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.035

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Package Type

SOT-23

Максимальное рассеяние мощности

1.33 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

1

Length

3мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Series

NX7002AK

Минимальная рабочая температура

-55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

4.5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Прямое напряжение диода

1.2V

Base Product Number

NX7002 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

190mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

265mW (Ta), 1.33W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250ВµA

Серия

NX7002AK

Тип корпуса

SOT-23

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Число контактов

3

Типичный заряд затвора при Vgs

0.33 nC @ 4.5 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

190mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

265mW

Rds On - Drain-Source Resistance

4.5О© @ 100mA,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.1V @ 250uA

Number of Elements per Chip

1

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Power Dissipation

1.33 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Drain Source Resistance

4.5 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

N

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Forward Diode Voltage

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet NX7002AK,215 , pdf , 259 КБ
Datasheet NX7002AK,215 , pdf , 720 КБ