IPP60R160P7XKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 82 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2367901

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220

Рассеиваемая Мощность

81Вт

Полярность Транзистора

N-Channel

Напряжение Истока-стока Vds

600В

Непрерывный Ток Стока

20А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.12Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3.5В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

2.86

Линейка Продукции

CoolMOS P7 Series

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

20 A

Pd - рассеивание мощности

81 W

Qg - заряд затвора

31 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

160 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Другие названия товара №

IPP60R160P7 SP001866174

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Технология

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet , pdf , 122 КБ
Datasheet IPP60R160P7XKSA1 , pdf , 1570 КБ

IPP60R160P7XKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 82 руб.

Техническая документация