ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPN60R2K1CEATMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPN60R2K1CEATMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPN60R2K1CEATMA1
Последняя цена
12 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT223, АБ
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2367342
Технические параметры
Вес, г
0.241
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-223
Высота
1.7мм
Length
6.7мм
Brand
Infineon
Pin Count
3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 В, +30 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Серия
CoolMOS CE
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
3,7 А
Maximum Power Dissipation
5 Вт
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
3.7мм
Maximum Drain Source Resistance
2.1 Ω
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
0.9V
Техническая документация
Datasheet IPN60R2K1CEATMA1 , pdf
, 1046 КБ
