BC857B-7-F, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 0.9 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2366458

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.036

Base Product Number

BC857 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

200MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.65 V

Number of Elements per Chip

Maximum Collector Base Voltage

-50 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum Power Dissipation

300 mW

Width

1.4мм

Maximum DC Collector Current

100 mA

Pin Count

Dimensions

3 x 1.4 x 1.1mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

220

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220 at -2 mA, - 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC857B

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,65 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

650 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Максимальная рабочая частота

200 МГц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-0.85 V

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,85 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

220

Техническая документация

Datasheet , pdf , 294 КБ
Datasheet , pdf , 383 КБ
Datasheet , pdf , 355 КБ

BC857B-7-F - характеристики, поставщики

Последняя цена 0.9 руб.

Техническая документация