2N6045G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 45 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2366438

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

2.677

Base Product Number

2N6045 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

20ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 4V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

75W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

100V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

15.75mm

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Package Type

TO-220AB

Maximum Power Dissipation

75 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

10.28mm

Height

4.82mm

Pin Count

Dimensions

15.75 x 10.28 x 4.82mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

100

Pd - рассеивание мощности

75 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

15.75 mm

Длина

10.53 mm

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

1000

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

8 A

Максимальный ток отсечки коллектора

20 uA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

8 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

2N6045

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.83 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

20000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Maximum Continuous Collector Current

8 A

Техническая документация

Datasheet , pdf , 289 КБ

2N6045G - характеристики, поставщики

Последняя цена 45 руб.

Техническая документация