IPP039N04LGXKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2365547

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.9

Максимальный непрерывный ток стока

80 А

Package Type

TO-220

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.572мм

Высота

15.95мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

10.36мм

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Pin Count

Тип канала

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-220

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Типичный заряд затвора при Vgs

59 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 А

Maximum Drain Source Resistance

5,2 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Forward Diode Voltage

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet IPP039N04LGXKSA1 , pdf , 265 КБ

IPP039N04LGXKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация