STW10NK80Z, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

STW10NK80Z - это силовой МОП-транзистор с N-канальным напряжением 800 В, защищенный стабилитроном, разработанный с использованием технологии SuperMESH ™, достигнутый за счет оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя разводки PowerMESH ™ на основе полос. Помимо значительного снижения сопротивления при включении, особое внимание уделяется обеспечению очень хорошей способности dv / dt для самых требовательных приложений. Улучшенный заряд затвора и меньшее рассеивание мощности для удовлетворения сегодняшних сложных требований к эффективности.

• Чрезвычайно высокая стойкость к dv / dt
• 100% тестирование в лавинах
• Минимальный заряд затвора
• Очень низкая внутренняя емкость
• Очень хорошая воспроизводимость производства

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2365367

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

6.253

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.15мм

Высота

20.15мм

Количество элементов на ИС

Series

SuperMESHв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

STW10 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

160W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 4.5A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 100ВµA

Id - непрерывный ток утечки

9 A

Pd - рассеивание мощности

160 W

Qg - заряд затвора

72 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

900 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

20 ns

Время спада

17 ns

Длина

15.75мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

9.6 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

600

Серия

MDmesh, SuperMESH

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

65 нс

Типичное время задержки при включении

30 ns

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

TO-247-3

Тип

MOSFET

Техническая документация

Datasheet , pdf , 440 КБ
Datasheet , pdf , 425 КБ

STW10NK80Z - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация