STP200NF04, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2365360

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.695

Максимальный непрерывный ток стока

120 А

Максимальное рассеяние мощности

310 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

15.75мм

Количество элементов на ИС

Series

STripFETв„ў II ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3,7 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

STP200 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

120A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

310W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 90A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.4мм

Серия

STripFET

Типичное время задержки выключения

140 нс

Техническая документация

Datasheet STP200NF04 , pdf , 427 КБ

STP200NF04 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация