IRFS9N60APBF, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 300 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9.2 А, 170 Вт

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2360946

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.19

Максимальный непрерывный ток стока

9.2 A

Package Type

D2PAK (TO-263)

Максимальное рассеяние мощности

170 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

750 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Base Product Number

IRFS9 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9.2A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Power Dissipation (Max)

170W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5.5A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.67мм

Типичное время задержки выключения

30 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

49 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1400 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

9.2A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

170W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.83мм

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 226 КБ
Datasheet IRFS9N60APBF , pdf , 224 КБ

IRFS9N60APBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 300 руб.

Техническая документация