FQPF65N06, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220F, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 40 А, 56 Вт

МОП-транзистор 60V N-Channel QFET

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2360945

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

3.5

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное рассеяние мощности

56 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7

Высота

9.19мм

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

onsemi

Series

QFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

16 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

FQPF6 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

40A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

56W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 20A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

40 A

Pd - рассеивание мощности

56 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

16 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

160 ns

Время спада

105 ns

Длина

10.16мм

Другие названия товара №

FQPF65N06_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

QFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

40 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

QFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

90 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Тип

MOSFET

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220F

Размеры

10.16 x 4.7 x 9.19мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

48 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1850 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet FQPF65N06 , pdf , 573 КБ
Datasheet FQPF65N06 , pdf , 591 КБ
Datasheet FQPF65N06 , pdf , 589 КБ
Datasheet FQPF65N06 , pdf , 682 КБ

FQPF65N06 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация