ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP5616TA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BCP5616TA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP5616TA
Последняя цена
29 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-223, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 2Вт
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2360880
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.21
Base Product Number
BCP5616 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
150MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Number of Elements per Chip
1
Maximum DC Collector Current
1A
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
100@150mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V|25@5mA@2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Pd - Power Dissipation
2W
Pd - рассеивание мощности
2 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
25 at 5 mA at 2 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
BCP56
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-4
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250 at 150 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
125 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
80
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)
1
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Maximum Transition Frequency (MHz)
150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Supplier Package
SOT-223
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.55
Package Length
6.5
Package Width
3.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Supplier Temperature Grade
Automotive
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 43 КБ
Datasheet , pdf
, 373 КБ
Datasheet , pdf
, 425 КБ
Datasheet , pdf
, 376 КБ