ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSP130,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BSP130,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSP130,115
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: SC-73, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 350 мА, 1.5Вт
Корпус TO261
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2360227
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.2
Ширина
3.7 mm
Высота
1.7 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power Dissipation (Max)
1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 250mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки
350 mA
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
300 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
6.7 mm
Другие названия товара №
BSP130 T/R
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Dual Drain
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-223-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Техническая документация
Datasheet BSP130,115 , pdf
, 196 КБ
Datasheet BSP130.115 , pdf
, 196 КБ
Datasheet BSP130,115 , pdf
, 81 КБ
