ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP56-10,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BCP56-10,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP56-10,115
Последняя цена
26 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SC-73, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.35Вт
NPN-транзисторы общего назначения, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2359429
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.2
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
180 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7мм
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
SOT-223 (SC-73)
Maximum Power Dissipation
960 мВт
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
3.7мм
Maximum DC Collector Current
1 A
Pin Count
4
Dimensions
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
63
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Pd - Power Dissipation
960mW
Pd - рассеивание мощности
960 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.7мм
Длина
6.7 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
63 at 150 mA, 2 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
BCP56
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-223-3
Ширина
3.7 mm
Другие названия товара №
933917250115
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
63 at 150 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
180 MHz
Технология
Si
Техническая документация
BCP56_BCX56_BC56PA , pdf
, 1114 КБ
BCX56,115 , pdf
, 1715 КБ
Datasheet , pdf
, 97 КБ
Datasheet , pdf
, 1258 КБ