IRF8721TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 96 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 8-SO, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 14 А, 2.5 Вт

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2359318

Технические параметры

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOIC

Ширина

3.9 mm

Высота

1.75 mm

Transistor Material

Length

5mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Id - непрерывный ток утечки

14 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Qg - заряд затвора

8.3 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

12.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

4.9 mm

Другие названия товара №

SP001577624

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SO-8

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

2.35V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4mm

Height

1.5mm

Maximum Drain Source Resistance

12.5 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

Forward Transconductance

27s

Dimensions

5 x 4 x 1.5mm

Typical Turn-On Delay Time

8.2 ns

Typical Turn-Off Delay Time

8.1 ns

Техническая документация

Datasheet IRF8721 , pdf , 230 КБ
Datasheet IRF8721TRPBF , pdf , 230 КБ
Datasheet IRF8721TRPBF , pdf , 230 КБ

IRF8721TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 96 руб.

Техническая документация