ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SISH402DN-T1-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SISH402DN-T1-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SISH402DN-T1-GE3
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2346565
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Максимальный непрерывный ток стока
35 А
Package Type
1212
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
3.15мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Vishay Siliconix
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное сопротивление сток-исток
8 мОм
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
28 нКл при 10 В
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.2V
Id - непрерывный ток утечки
35 A
Pd - рассеивание мощности
52 W
Qg - заряд затвора
42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.15 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
20 ns
Время спада
15 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
82 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SIS
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
25 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
PowerPAK-1212-8
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Maximum Power Dissipation
52 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.15мм
Height
1.07мм
Maximum Drain Source Voltage
30 В
Channel Mode
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Техническая документация
Datasheet SISH402DN-T1-GE3 , pdf
, 151 КБ
Datasheet SISH402DN-T1-GE3 , pdf
, 172 КБ
