ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTD5C668NLT4G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTD5C668NLT4G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTD5C668NLT4G
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор T6 60V LL DPAK
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2342684
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
48 A
Pd - рассеивание мощности
42 W
Qg - заряд затвора
18.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
8.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
74 ns
Время спада
62 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
60 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
26 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
DPAK-3
Техническая документация
Datasheet NTD5C668NLT4G , pdf
, 89 КБ