ELDG.ru
Категории
Производители
Регистрация поставщика
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGA40T65SHDF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGA40T65SHDF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGA40T65SHDF
Последняя цена
630 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2336086
Технические параметры
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
30 V
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Вес, г
6.401
Pd - рассеивание мощности
268 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.81 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
80 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
450
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
400 nA
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-3PN
Серия
FGA40T65SHDF
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet FGA40T65SHDF , pdf
, 700 КБ
